南京工业大学刘超：由单个2d电荷陷阱介质增强的高度可靠的范德华存储器
论论资讯 ｜ 2023-10-26 ｜
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Highly Reliable Van Der Waals Memory Boosted by A Single 2d Charge Trap Medium
Liu Chao; Pan Jie; Yuan Qihui; Zhu Chao; Liu Jianquan; Ge Feixiang; Zhu Jijie; Xie Haitao; Zhou Dawei; Zhang Zicheng; Zhao Peiyi; Tian Bobo; Huang Wei; Wang Lin
Published：2023-10-26
DOI：10.1002/adma.202305580
研究背景
新发现的2D PbI<sub>2</sub>材料在非挥发性存储器和人工突触方面具有很大的潜力。然而，在当前研究领域中，存在着如何高效地存储和控制载流子的问题，因此需要寻找一种能够有效和可控地存储载流子的材料。
研究内容
研究人员发现2D半导体PbI<sub>2</sub>是一种非常优秀的电荷陷阱材料，可用于非挥发性存储器和人工突触。构建基于PbI<sub>2</sub>的电荷陷阱器件非常简单，不需要复杂的合成或额外的缺陷制造。研究人员以MoS<sub>2</sub>/PbI<sub>2</sub>器件为例，展示了其具有120 V的大存储窗口、5微秒的快速写入速度、约10<sup>6</sup>的高开关比、超过8个不同状态的多级存储、高可靠性（可循环10<sup>4</sup>次以上）和保持时间超过1.2×10<sup>4</sup>秒。
研究意义
这项研究的创新点在于发现了2D PbI<sub>2</sub>材料的独特性质，即通过其天然形成的碘空位引起的离子活性，可以与无限的2D材料结合，形成具有高集成度和多功能性的van der Waals器件。这项研究为非挥发性存储器和人工突触的开发提供了新的思路和方法，具有重要的应用价值。
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