最新!郑州大学吴翟2024年第4篇SCI
论论资讯 ｜ 2024-04-29 ｜
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Nano Research
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On-chip integrated GeSe<sub>2</sub>/Si vdW heterojunction for ultraviolet-enhanced broadband photodetection, imaging, and secure optical communication
Zhou Z.; Liu K.; Wu D.; Jiang Y.; Zhuo R.; Lin P.; Shi Z.; Tian Y.; Han W.; Zeng L.; Li X.
Published：2024-01-01
DOI：10.1007/s12274-024-6564-x
研究背景
在当今社会，广泛的光电检测技术在诸如天文学、遥感、环境监测和医疗诊断等领域扮演着至关重要的角色。然而，目前市面上主要基于传统窄带隙半导体的宽带光电探测器在紫外线（UV）区域的灵敏度有限，这限制了它们的应用范围。
研究内容
最新研究发现了一种革新性方法，通过在硅衬底上原位结合二维GeSe<sub>2</sub>层，形成高质量的GeSe<sub>2</sub>/Si van der Waals异质结器件。这种器件具有广泛的响应范围，涵盖从紫外线到近红外线（NIR），并且在紫外线区域具有极大增强的灵敏度。该器件具有高响应度325和533.4 mA/W，大检测灵敏度1.24 × 10<sup>13</sup>和2.57 × 10<sup>13</sup> Jones，以及360和980 nm下的快速响应速度20.6/82.1和17.7/81.0 µs。特别值得注意的是，GeSe<sub>2</sub>/Si异质结器件展示了宽带图像感应和安全隐形光学通信的能力。
研究意义
这项研究为紫外增强的宽带光电检测技术提供了一种可行的途径，为各种科学和技术领域开辟了新的可能性和应用。这一创新性方法为未来光电技术的发展带来了新的希望，有望在多个领域取得重大突破。
希望这篇文章能帮助你更好地了解这项研究的重要性和意义！
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