南阳理工学院最新研究：非晶态Ge8Sb2Te11的结构和电子特性
论论资讯 ｜ 2024-04-29 ｜
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Journal of Non-Crystalline Solids
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Structural and electronic characteristics of amorphous Ge<sub>8</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>11</sub>
Qiao C.; Niu Y.; Wang S.; Gu R.; Xu Q.; Chen C.; Wang S.; Wang C.-Z.; Xu M.; Miao X.
Published：2024-06-15
DOI：10.1016/j.jnoncrysol.2024.122980
研究背景
在当今社会，信息存储技术的发展日新月异，但相变材料的稳定性与数据保留问题一直备受关注。针对这一难题，研究人员一直在探索相变材料的结构和电子特性，以提高信息存储的效率。
研究内容
最新研究发现，通过使用从头算分子动力学模拟，非晶态Ge8Sb2Te11的结构和电子特性得到了深入探究。研究结果显示，非晶态Ge8Sb2Te11主要由具有扭曲的Ge、Sb和Te为中心的八面体构成，其中30.4%的Ge中心团簇呈四面体形式并随机分布。五角环占据了大部分比例，而Ge-Te和Sb-Te键的形成能大于其他键，导致了ABAB键序（A代表Ge和Sb，B代表Te）。孤对电子位于键的相反方向，占据了14.8%的比例，可能增强了局部团簇的扭曲。这些结构特性使非晶态Ge8Sb2Te11具有高稳定性，从而在信息存储中实现长时间数据保留。
研究意义
这项研究揭示了非晶态Ge8Sb2Te11的独特结构特性，为相变材料在可重写光学存储中的应用提供了新的思路。这一创新为信息存储领域带来了新的可能性，有望提高数据存储的效率和稳定性。
希望通过这篇文章，让大家更好地了解非晶态Ge8Sb2Te11的重要性和潜在应用价值。
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