东南大学:工业级块晶硅片精密表面改性的各向异性湿化学蚀刻技术的最新进展：提高光伏和MEMS器件的性能
论论资讯 ｜ 2024-04-30 ｜
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Recent Frontiers in Anisotropic Wet Chemical Etching Techniques for Precision Surface Modification of Industrial-Grade Bulk Crystalline Silicon Wafers: Enhancing Performance in Photovoltaics and MEMS Devices
Iqbal S.; Guo X.; Yi Y.; Zhang X.Y.; Zhang T.
Published：2024-01-01
DOI：10.1007/s12633-024-02963-4
研究背景
随着科技的不断进步，工业级晶体硅晶片在光伏和微机电系统（MEMS）设备中的应用日益广泛。然而，目前在表面处理方面仍存在一些挑战，如何精确地调控硅晶片的表面结构和性质成为了研究领域中的一个重要问题。
研究内容
最近，《硅》杂志发表了一篇题为《工业级晶体硅晶片精密表面改性的各向异性湿化学蚀刻技术的最新前沿：提升光伏和MEMS设备性能》的论文。该论文介绍了最新的各向异性蚀刻方法，解决了工业级硅晶片表面处理的难题。研究通过精确控制蚀刻方法，可以调整硅晶片的表面形貌、粗糙度和纹理。研究揭示了控制各向异性蚀刻过程的化学反应的基本原理，强调了其在光伏电池中光管理和MEMS设备中优化机械特性方面的作用。论文涵盖了各种各向异性蚀刻解决方案及其对表面形貌的影响，探讨了蚀刻剂组成、温度和处理时间之间的复杂相互作用。此外，论文还讨论了实现大规模硅晶片上优越选择性、可重复性和均匀性的策略，阐明了工业实施所需的微妙控制。
研究意义
该研究的创新点在于通过各向异性蚀刻技术，提高了工业级硅晶片的性能，为光伏和MEMS领域带来了新的可能性。这项研究的意义在于为工业界提供了更精确、更可控的硅晶片表面处理方法，有望推动光伏和MEMS设备的发展，为清洁能源和微型传感器等领域带来更大的进步。
希望这篇文章可以帮助你更好地了解这一前沿研究领域！
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