进展！同济大学Xiang, Dawei发表了2024年第6篇SCI
论论资讯 ｜ 2024-04-29 ｜
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IEEE Transactions on Power Electronics
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Non-contact SiC MOSFET Switching Time Monitoring in DC-DC Converter Using Switching Oscillation Amplitude Feature
Xiang D.; Li Y.; Li H.; Xiao Y.; Tian X.; Han X.
Published：2024-01-01
DOI：10.1109/tpel.2024.3390788
研究背景
在当今社会，随着科技的不断进步，人们对电力电子设备的性能和健康状态有着越来越高的要求。然而，对于硅碳化金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的开关时间进行直接测量可能存在安全性和精度方面的挑战。这就引出了一个问题：如何有效监测SiC MOSFET的开关时间？
研究内容
IEEE Transactions on Power Electronics上发表了一篇题为《Non-contact SiC MOSFET Switching Time Monitoring in DC-DC Converter Using Switching Oscillation Amplitude Feature》的论文。该研究提出了一种非接触式方法，通过直流-直流转换器中的高频开关振荡来监测SiC MOSFET的开关时间。论文首先分析了Buck变换器中的高频开关振荡电流，研究了其产生机制，包括激励源、等效电路和分析表达式。随后，选择了开关振荡电流的初始振幅（Isw1）作为监测开关时间的特征。接着，设计了一个非接触式监测方案，包括高频开关振荡传感器和校准过程，以建立Isw1-tsw特性。实验证实了该方法的有效性，具有出色的电气隔离安全性，在不同工作条件下实现了纳秒级的精度。
研究意义
这项研究的创新之处在于提出了一种非接触式监测SiC MOSFET开关时间的方法，解决了直接测量的安全和精度问题。通过该方法，可以更准确地了解SiC MOSFET的操作性能和健康状态，为电力电子设备的优化和改进提供了重要参考。这项研究的成果有望在电力电子领域产生积极的影响，推动相关技术的发展和应用。
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