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Yin, Jiahao

Yin, Jiahao

中国科学院

7

H指数

13

论文数

136

被引数

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Yin, Jiahao,现任职于中国科学院,曾任职于江苏省国家先进材料协同创新中心、北京大学等机构,个人H指数为7,累计发表论文13篇,论文总被引数累计136次,主要研究方向涵盖材料学、物理学与天文学等领域,在Advanced Electronic Materials、Nanoscale Research Letters和IEEE Electron Device Letters顶级期刊累计发表7次

与5名优质学者合作过

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论文被9个高IF期刊引用过

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1T1R记忆阵列中的内存汉明重量计算

In-Memory Hamming Weight Calculation in a 1T1R Memristive Array

华中科技大学

2020

被引数:18

Advanced Electronic Materials

Chang, Tingchang

Hamming weight,in-memory computing,matrix accumulation,matrix multiplication accumulation,memristors
Ta < sub > 2 </sub > O < sub > 5 </sub >/TaO < sub > x </sub >双层结构抑制导电桥随机存储器中细丝过度生长

Suppression of filament overgrowth in conductive bridge random access memory by Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/TaO<sub>x</sub> Bi-layer structure

中国科学院

2019

被引数:10

Nanoscale Research Letters

吕杭炳

Bi-layer structure,CMOS-compatible process,Conductive bridge resistive switching memory (CBRAM),Reliability
用RTN测量探测陷阱剖面揭示TaO<sub>x</sub>/HfO<sub>2</sub >自选择盒的开关机制

Unveiling the Switching Mechanism of a TaO<sub>x</sub>/HfO<sub>2</sub> Self-Selective Cell by Probing the Trap Profiles With RTN Measurements

中国科学院

2018

被引数:4

IEEE Electron Device Letters

刘明

3D VRRAM,random telegraph noise (RTN),self-selective cell (SSC)
三能级随机电报噪声的分类及其在精确提取氧化物基阻变存储器陷阱轮廓中的应用

Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory

中国科学院

2018

被引数:5

IEEE Electron Device Letters

刘明

OxRAM,random telegraph noise (RTN),reliability
三维纳米NbO<sub>X</sub >系统中的记忆开关和阈值开关

Memory Switching and Threshold Switching in a 3D Nanoscaled NbO<sub>X</sub> System

中国科学院

2019

被引数:12

IEEE Electron Device Letters

刘明

3D,coexistence,memory switching,sneaking current,threshold switching
溅射Hf < sub > X </sub > Zr < sub > 1-X </sub > O < sub > 2 </sub >薄膜中成分相关的铁电性质

Composition-dependent ferroelectric properties in sputtered Hf<sub>X</sub>Zr<sub>1-X</sub>O<sub>2</sub> Thin Films

中国科学院

2019

被引数:23

IEEE Electron Device Letters

刘明

dopant concentration,first principle calculation,HfO<sub>2</sub>-based ferroelectric materials,HfO<sub>2</sub>-ZrO<sub>2</sub> solid solution,sputtered HZO

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