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王峰

王峰

中国科学院

6

H指数

6

论文数

128

被引数

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王峰,现任职于中国科学院,曾任职于西安交通大学机构,个人H指数为6,累计发表论文6篇,论文总被引数累计128次,主要研究方向涵盖物理学与天文学、工程学、材料学、化学工程等领域,在Applied Surface Science、Applied Physics Letters和Journal of Non-Crystalline Solids顶级期刊累计发表4次

论文已被300+学者引用过

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C-RAM器件用掺金Sb <sub>3</sub> Te相变材料

Au doped Sb <sub>3</sub> Te phase-change material for C-RAM device

西安交通大学

2008

被引数:9

Applied Surface Science

宋志棠

Au doped Sb <sub>3</sub> Te,Crystallization temperature,Data retention,Phase-change
基于电流-电压测量的Ge < sub > 2 </sub > Sb < sub > 2 </sub > Te < sub > 5 </sub >基相变存储单元的多重相变

Multiple phase-transition in Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> based phase change memory cell by current-voltage measurement

中国科学院

2007

被引数:14

Journal of Non-Crystalline Solids

宋志棠

Alloys,Amorphous semiconductors,Electrical and electronic properties
SiSb相变材料的优点及其在相变存储器中的应用

Advantages of SiSb phase-change material and its applications in phase-change memory

中国科学院

2007

被引数:57

Applied Physics Letters

宋志棠

温度对锑碲相变材料电学性能的影响

Temperature influence on electrical properties of Sb-Te phase-change material

中国科学院

2008

被引数:9

Japanese Journal of Applied Physics

宋志棠

Hall measurement,In situ resistance measurement,Phase-change material,Sb-Te alloy
用于高数据保持相变存储器应用的无碲SiSb相变材料

Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application

中国科学院

2007

被引数:27

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

宋志棠

Data retention,Phase change,Phase change memory,SiSb,Te-free
应用于硫系随机存储器的掺氧Si < sub > 2 </sub > Sb < sub > 2 </sub > Te < sub > 5 </sub >纳米复合相变材料

O-Doped Si <sub>2</sub>Sb <sub>2</sub>Te <sub>5</sub> nano-composite phase change material for application of chalcogenide random access memory

中国科学院

2009

被引数:12

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

宋志棠

Chalcogenide random access memory,Composite material,O-Doped,Phase change,SiSbTe

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